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MOS管结构|MOS管的IVcure解析分享-KIA MOS管
MOS管结构|MOS管的IVcure解析分享-KIA MOS管-MOS管的结构:以N沟道横向MOS管为例，其结构如下图所示，在P型半导体表面有一层薄膜氧化膜，氧化膜上再镀一层金属膜。在这层金属膜上施加一个正向电压。进一步再添加两个n+区域分别作为源区和漏区。这样我们就有了下...www.kiaic.com/article/detail/2467.html 2020-11-23
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锂电池组-锂电池组均衡充电方法及计算锂电池组中几串几并-KIA MOS管
锂电池组，如何计算锂电池组中几串几并，动力锂电池成组使用，各节锂电池均要求充电过电压、放电欠电压、过流、短路的保护，充电过程中要实现整组电池均衡充电的问题，介绍了一种采用单节锂电池保护芯片对任意串联数的成组锂电池进行保护的含均衡充电功能的电池...www.kiaic.com/article/detail/875.html 2020-11-20
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什么是N型、P型半导体，什么是N+型、P-型半导体，这两个是有什么含义？
材料的导电性是由材料中的自由电子(Extra electron)的数量决定的。从能量的角度来看，自由电子的能量比较高，因此往外力的作用下（电场等）可以自由移动，如果将它们集中起来，就是导带(Conduction Band)，剩下的部分就是价带( Valence Band)，参见图1.6。价带...www.kiaic.com/article/detail/349.html 2020-11-20
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碳化硅,碳化硅管性能特点和主要用途是什么?详解
碳化硅管具有强度高、硬度高、耐磨性好、耐高温、耐腐蚀、抗热抗震性好、导热系数大以及抗氧化性好等优胜功能，首要用于中频铸造、各种热处理电炉、冶金、化工、有色金属锻炼等职业，碳化硅保护管广泛用于冶金烧结炉和中 频加热铸造炉，长度可根据现场实际需要...www.kiaic.com/article/detail/494.html 2020-11-20
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cmos电平与TTL电平存在的差异及cmos使用注意事项-KIA MOS管
cmos电平逻辑电平电压接近于电源电压，0 逻辑电平接近于 0V。而且具有很宽的噪声容限。Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL=3.5V；VIL<=1.5V。相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动...www.kiaic.com/article/detail/1149.html 2020-11-20
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报警器电路图-报警器的结构组成详解以及原理详解等
最常见的警报器电路的警报器电路是什么重要性在各种报警。 例如：紧迫报警，防盗报警器电路，火灾报警电路，定时器，传感器操控，等等。www.kiaic.com/article/detail/580.html 2020-11-20
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常用电子元件识别大全图-经典电子元件应用-KIA MOS管
电子元件识别大全图，电子元器件基础知识，作为一位电子元器件的采购，不单单是需要灵活的业务能力，还更需要掌握电子元器件的一些硬件的东西。如电子元器件的分类、型号识别、用途等专业基础知识，才能为企业提供更好、更专业的采购建议。那接下来就给大家盘点...www.kiaic.com/article/detail/1534.html 2020-11-20
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MOS管知识|MOS管功率损耗如何测试？-KIA MOS管
MOS管功率损耗如何测试-功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载，带载能力要强。功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。www.kiaic.com/article/detail/2466.html 2020-11-20
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MOS电容器工作原理分享|必看-KIA MOS管
MOS电容器工作原理：电荷的收集,MOS电容器是所有MOS(金属-氧化物-半导体)结构中最简单的，它是CCD的构成基础;弄清楚这种结构的原理对理解CCD的工作原理是非常有用的。MOS电容器有二种类型:表面沟道和埋沟。这二种类型MOS电容器的制造只有些微地不同;然而，由于...www.kiaic.com/article/detail/2465.html 2020-11-20
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MOS电容的基本架构详细解析-KIA MOS管
MOS电容的基本架构-MOSFET结构的核心是金属-氧化物-半导体电容，即MOS电容。MOS电容自身并不是一种广泛应用的器件，但是却是整个MOS晶体管的核心单元。MOS中的金属最初是铝，现在大多数情况被沉积在氧化物上的多晶硅代替。MOS电容的基本架构如下所示。www.kiaic.com/article/detail/2464.html 2020-11-20
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防止绝缘栅型场效应管击穿的解决方法-KIA MOS管
防止绝缘栅型场效应管击穿：绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且...www.kiaic.com/article/detail/2461.html 2020-11-19
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方波信号可以直接驱动场效应管吗？看这篇秒懂-KIA MOS管
方波信号直接驱动场效应管-方波信号驱动场效应管：要看方波信号是不是能够直接驱动场效应管, 那么我们就要先了解场效应管的一些特点,然后针对场效应管的特点去选配方波信号产生电路。www.kiaic.com/article/detail/2462.html 2020-11-19
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三极管、场效应管、IGBT有什么区别,怎么用？-KIA MOS管
都是三个引脚：三极管、场效应管、IGBT怎么用？一、三极管,三极管是一种电流控制体器件，它的主要作用是把微弱信号放大，输入阻抗低，例如在基极b给一个很小的电流Ib，在集电极c上得到一个比较大的电流Ic。它是电流放大器件，但是在实际时候通常通过一个电阻将...www.kiaic.com/article/detail/2463.html 2020-11-19
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开关电源-最全面的开关电源IC内部电路详解-KIA MOS管
开关模式电源，又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源（例如市电）或是直流电源，而输出多半是需要直流电源...www.kiaic.com/article/detail/1634.html 2020-11-19